高优值系数In₄Se₃多晶的制备及其热电输运特性

来源期刊：无机材料学报2015年第3期

论文作者：赵然 马立民 郭福 胡扬端瑞 舒雨田

文章页码：249 - 255

关键词：In4Se3;热电性能;真空熔炼;退火;

摘    要：分别采用不同的熔炼、退火工艺,结合放电等离子烧结方法制备了块状多晶In4Se3热电材料。研究了熔炼时间和退火时间对材料物相、成分、显微结构及热电性能的影响。熔炼后铸锭中存在In及In Se杂相,Se缺失量随熔炼时间的延长而增加,使得样品载流子浓度增大,电导率有所提高,熔炼48 h样品ZT值相对较高。在确定熔炼工艺的基础上,进行不同时间的退火处理后,In Se相消失,显微结构中分布有较大尺寸的台阶状结构,这种台阶状结构有利于降低热导率,而对电导率无明显影响。实验结果表明:一定程度延长熔炼时间、退火时间对提高样品的热电性能有积极作用,其中熔炼48 h再退火96 h后的样品ZT值最高,在702 K达到0.83,比文献值提高约32%。