SHS法合成低游离硅亚微米级β-Si3N4研究
来源期刊：粉末冶金工业2005年第2期
论文作者：孔祥玖 张英才 王声宏 韩文成
关键词：自蔓延高温合成(SHS)或燃烧合成(CS); β-Si3N4; 结构陶瓷;
摘 要：本文采用SHS工艺对低游离硅(Sif＜1 %)亚微米级β-Si3N4的制备进行了研究,在研究中采用细硅粉团粒作为原料,试验结果表明:用团粒为原料合成的β-Si3N4粒度为0.71 μm时,其游离硅含量为0.65 %,而采用常规的硅粉为原料时,当β-Si3N4粒度为0.69 μm时,游离硅的含量高达1.98 %.
孔祥玖1，张英才2，王声宏2，韩文成1
(1.三河燕郊新宇高技术陶瓷材料有限公司,三河,065021;
2.北京钢拓冶金研究所,北京,100081)
摘要:本文采用SHS工艺对低游离硅(Sif＜1 %)亚微米级β-Si3N4的制备进行了研究,在研究中采用细硅粉团粒作为原料,试验结果表明:用团粒为原料合成的β-Si3N4粒度为0.71 μm时,其游离硅含量为0.65 %,而采用常规的硅粉为原料时,当β-Si3N4粒度为0.69 μm时,游离硅的含量高达1.98 %.
关键词:自蔓延高温合成(SHS)或燃烧合成(CS); β-Si3N4; 结构陶瓷;
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