稀土La对化学共沉淀法制备纳米SnO2结构的影响
来源期刊：材料导报2006年增刊第1期
论文作者：张燕 丁秉钧 杨敏鸽 王俊勃
关键词：纳米SnO2; La; Sn(OH)4; 化学共沉淀;
摘 要：以SnCl4和LaCl3为原料,采用化学共沉淀法制备混杂La的纳米SnO2,运用DSC-TG、XRD和TEM等对混杂La的SnO2纳米粉末的物相和粒度进行了分析.结果发现:(1)采用化学共沉淀法制备混杂La的SnO2粉末,焙烧温度在400～650℃时,主要成分为SnO2,750℃以上焙烧,主要成分为La2Sn2O7和SnO2.(2)La混杂是通过阻碍SnO2由非晶体向晶体转变来抑制纳米颗粒长大,一旦晶体形成,并达到一个临界尺寸值时,La元素便开始脱溶析出,并反应生成La2Sn2O7,其对纳米晶粒长大的阻碍作用消失,晶粒将迅速长大.
张燕1，丁秉钧2，杨敏鸽1，王俊勃1
(1.西安工程科技学院,西安,710048;
2.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049)
摘要:以SnCl4和LaCl3为原料,采用化学共沉淀法制备混杂La的纳米SnO2,运用DSC-TG、XRD和TEM等对混杂La的SnO2纳米粉末的物相和粒度进行了分析.结果发现:(1)采用化学共沉淀法制备混杂La的SnO2粉末,焙烧温度在400～650℃时,主要成分为SnO2,750℃以上焙烧,主要成分为La2Sn2O7和SnO2.(2)La混杂是通过阻碍SnO2由非晶体向晶体转变来抑制纳米颗粒长大,一旦晶体形成,并达到一个临界尺寸值时,La元素便开始脱溶析出,并反应生成La2Sn2O7,其对纳米晶粒长大的阻碍作用消失,晶粒将迅速长大.
关键词:纳米SnO2; La; Sn(OH)4; 化学共沉淀;
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