等径角挤压和单向轧制高纯Al再结晶晶界面的取向分布

陈吉湘¹，王卫国^1,2，林燕²，林琛²，王乾廷^1,2，戴品强^1,2

1. 福州大学材料科学与工程学院2. 福建工程学院材料科学与工程学院

摘 要：选用经多向锻造和再结晶退火的晶粒组织均匀(平均晶粒尺寸为20 mm)且取向均匀的高纯Al(99.99%)为原料,将2组平行样品分别进行等效应变e≈2的等径角挤压(ECAP)和单向轧制(DR)变形后,再经360℃再结晶退火8~90 min,利用基于体视学原理和电子背散射衍射技术(EBSD)的五参数分析法(FPA)对比研究了不同变形方式对高纯Al退火再结晶晶界面取向分布的影响.结果表明,经变形及360℃退火后,2组样品中其再结晶晶界面主要取向于低能稳定的{111},并主要对应于以<111>为转轴的大角度扭转晶界.ECAP与DR样品退火后的主要差异在于,前者再结晶晶界面取向于{111}的过程较迟缓;后者再结晶晶界面比较容易取向于{111}.分析指出,DR变形更容易使高纯Al再结晶晶面取向于低能稳定的{111},更有益于晶界特征分布的优化.这与DR变形形成的<110>//ND织构导致其再结晶退火过程中晶粒容易长大有关.

关键词：高纯Al;等径角挤压;单向轧制;再结晶;晶界面分布;