基片偏压模式对高功率脉冲磁控溅射CrN薄膜结构及成分影响研究

来源期刊：稀有金属材料与工程2013年第2期

论文作者：吴忠振 田修波 巩春志 杨士勤

文章页码：405 - 409

关键词：高功率脉冲磁控溅射;等离子体离子注入与沉积;偏压;氮化铬;结构和成分;

摘    要：针对高功率脉冲磁控溅射（HPPMS）的缺点,结合沉积技术（PBII&D）技术,提出了一种新的处理方法——高功率脉冲磁控放电等离子体离子注入与沉积技术（HPPMS-PIID）。本实验采用该技术在不锈钢基体上制备了CrN薄膜,分别采用3种偏压模式:无偏压、–100V直流偏压和–15kV脉冲偏压,对比研究了CrN薄膜形貌、结构、成分及性能发生的变化。结果表明:该方法制备的薄膜表面平整、晶粒排列致密,呈不连续的柱状晶生长。相结构单一,主要是CrN（200）相。由于负高压脉冲将大部分进入鞘层的离子都吸引到工件沉积,薄膜沉积速率得到较大提高。另外强烈的高能离子的注入与轰击,使得薄膜的结合力高达57.7N。