一种新型无机微晶驻极体材料SiO2-Ta2O5-B2O3-RO的制备与研究
来源期刊：功能材料与器件学报2019年第2期
论文作者：黄志强
文章页码：124 - 129
关键词：SOI绝缘硅;复合材料;介电;电荷贮存,热刺激放电TSD;
摘 要：通过成分选择与匹配,运用高温熔凝工艺在单晶硅片上制备成功SiO2-Ta2O5-B2O3-RO无机复合材料驻极体,实验显示:该材料为微晶结构,具有～2000级别的介电常数;恒栅压电晕充电后可获得与栅压相近的表面电位; TSD热刺激放电显示电流峰位于T=240℃处,固定不变且正负对称,被陷电荷的能阱深度约为～1.22eV;实验结果表明,Si O2-Ta2O5-B2O3-RO是一种同时具备对等正负电荷贮存能力的新型无机微晶驻极体复合材料。
黄志强1
1. 同济大学电信学院
摘 要：通过成分选择与匹配,运用高温熔凝工艺在单晶硅片上制备成功SiO2-Ta2O5-B2O3-RO无机复合材料驻极体,实验显示:该材料为微晶结构,具有～2000级别的介电常数;恒栅压电晕充电后可获得与栅压相近的表面电位; TSD热刺激放电显示电流峰位于T=240℃处,固定不变且正负对称,被陷电荷的能阱深度约为～1.22eV;实验结果表明,Si O2-Ta2O5-B2O3-RO是一种同时具备对等正负电荷贮存能力的新型无机微晶驻极体复合材料。
关键词：SOI绝缘硅;复合材料;介电;电荷贮存,热刺激放电TSD;
