湿化学法制备纳米ATO导电粉
来源期刊：功能材料2002年第3期
论文作者：顾达 张建荣 杨云霞
关键词：二氧化锡; 纳米粉体; 掺杂;
摘 要：采用非均相成核法,在Sn(OH)4晶种上均匀生长Sb掺杂Sn(OH)4,制备纳米ATO粉末.以电阻测定系统研究了合成条件如掺杂浓度、反应温度、pH值、SnCl4浓度等对最终粉末电阻性能的影响.以TG-DSC热分析、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程,XRD显示为四方金红石型结构,平均粒径为15nm.当Sb/Sn(mol比)=0.05,pH=2,T=60℃,SnCl4=1.2～1.8mol@L-1时,粉体电阻小于0.5Ω.
顾达1，张建荣1，杨云霞1
(1.华东理工大学化学系,上海，200237)
摘要:采用非均相成核法,在Sn(OH)4晶种上均匀生长Sb掺杂Sn(OH)4,制备纳米ATO粉末.以电阻测定系统研究了合成条件如掺杂浓度、反应温度、pH值、SnCl4浓度等对最终粉末电阻性能的影响.以TG-DSC热分析、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程,XRD显示为四方金红石型结构,平均粒径为15nm.当Sb/Sn(mol比)=0.05,pH=2,T=60℃,SnCl4=1.2～1.8mol@L-1时,粉体电阻小于0.5Ω.
关键词:二氧化锡; 纳米粉体; 掺杂;
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