氧化锌纳米晶体的生长及生长机理分析
来源期刊：材料科学与工程学报2006年第2期
论文作者：丁凤莲 朱柏瑾 孙萍 熊波 张国青
关键词：ZnO纳米晶体; 竞争生长; 热沉淀法; 局域生长;
摘 要：采用沉淀法生长了不同粒径且性能良好的氧化锌纳米晶体,探讨了晶粒尺寸与煅烧温度的变化关系,研究了ZnO纳米晶体的生长机理.通过实验验证了在中间产物Zn(OH)2中加入NH4HCO3后,ZnO纳米晶体实现了局域生长,很好地阻碍了晶核的过度生长,从而使生成的ZnO纳米晶体保持很小的粒径.煅烧温度较低时,ZnO纳米晶体的生长模式为正常扩散生长,煅烧温度在800℃时,发生了竞争生长现象.
丁凤莲1，朱柏瑾1，孙萍1，熊波1，张国青1
(1.北京师范大学物理系,北京,100875)
摘要:采用沉淀法生长了不同粒径且性能良好的氧化锌纳米晶体,探讨了晶粒尺寸与煅烧温度的变化关系,研究了ZnO纳米晶体的生长机理.通过实验验证了在中间产物Zn(OH)2中加入NH4HCO3后,ZnO纳米晶体实现了局域生长,很好地阻碍了晶核的过度生长,从而使生成的ZnO纳米晶体保持很小的粒径.煅烧温度较低时,ZnO纳米晶体的生长模式为正常扩散生长,煅烧温度在800℃时,发生了竞争生长现象.
关键词:ZnO纳米晶体; 竞争生长; 热沉淀法; 局域生长;
【全文内容正在添加中】
