溅射时氧分压对LaNiO3-x薄膜性能的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第3期
论文作者：褚君浩 赵强
关键词：射频溅射; LaNiO3薄膜; 导电性; 晶格参数;
摘 要：在较低的衬底温度(260 0C)和不同氧分压下,采用射频溅射在(111)Si衬底上制备出了具有(100)择优取向的 LaNiO3薄膜. SEM分析表明薄膜具有光滑连续的表面和均匀的晶粒尺寸. I-V特性表明薄膜均具有金属导电性,且随着氧分压的增加,电阻率逐步降低并达到一个稳定值 10Ω@μ m.实验结果同时表明,随着氧含量的增加,Ni、 La含量比单调增大,并且当溅射气氛中的氧气分压在 20%～30%范围时,Ni、 La含量比为 1:1而且比较稳定.当氧气分压为30%时,薄膜的晶面间距达到最小值.制备 LaNiO3薄膜的最佳氧气分压应该控制在 30%左右.
褚君浩1，赵强2
(1.中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;
2.华东师范大学物理系,上海,200062)
摘要:在较低的衬底温度(260 0C)和不同氧分压下,采用射频溅射在(111)Si衬底上制备出了具有(100)择优取向的 LaNiO3薄膜. SEM分析表明薄膜具有光滑连续的表面和均匀的晶粒尺寸. I-V特性表明薄膜均具有金属导电性,且随着氧分压的增加,电阻率逐步降低并达到一个稳定值 10Ω@μ m.实验结果同时表明,随着氧含量的增加,Ni、 La含量比单调增大,并且当溅射气氛中的氧气分压在 20%～30%范围时,Ni、 La含量比为 1:1而且比较稳定.当氧气分压为30%时,薄膜的晶面间距达到最小值.制备 LaNiO3薄膜的最佳氧气分压应该控制在 30%左右.
关键词:射频溅射; LaNiO3薄膜; 导电性; 晶格参数;
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