GaInAsSb/GaSb 红外探测器抗反膜的研究
来源期刊：功能材料与器件学报2005年第3期
论文作者：夏冠群 刘延祥 唐绍裘 程宗权 李志怀
关键词：抗反膜; GaInAsSb/GaSb; 反射率I-V; 黑体探测率;
摘 要：简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了Al2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜.膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同时通过对GaInAsSb/GaSb PIN 红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明:蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb/GaSb PIN 红外探测器的黑体探测率平均提高了60.28%,远大于蒸镀Al2O3、SiO2后的48.91%和40.04%,说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜,使器件性能有所提高.
夏冠群1，刘延祥1，唐绍裘2，程宗权1，李志怀1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;
2.湖南大学材料科学与工程学院,湖南,410082)
摘要:简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了Al2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜.膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同时通过对GaInAsSb/GaSb PIN 红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明:蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb/GaSb PIN 红外探测器的黑体探测率平均提高了60.28%,远大于蒸镀Al2O3、SiO2后的48.91%和40.04%,说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜,使器件性能有所提高.
关键词:抗反膜; GaInAsSb/GaSb; 反射率I-V; 黑体探测率;
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