异质外延GaN薄膜中缺陷对表面形貌的影响
来源期刊：材料导报2009年第4期
论文作者：高志远 郝跃 张金凤
关键词：GaN; 缺陷结构; 表面形貌; 生长机理;
摘 要：通过对异质外延GaN薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究,发现材料内部的各种体、面和线缺陷,包括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错,都会对表面形貌产生影响,并具有对应的特征形貌.GaN薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应关系,可以通过MOCVD生长机理和缺陷间相互作用机制加以解释,同时也提供了一种简单而有效的研究与检测GaN材料内部缺陷的方法.
高志远1，郝跃1，张金凤1
(1.西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071)
摘要:通过对异质外延GaN薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究,发现材料内部的各种体、面和线缺陷,包括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错,都会对表面形貌产生影响,并具有对应的特征形貌.GaN薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应关系,可以通过MOCVD生长机理和缺陷间相互作用机制加以解释,同时也提供了一种简单而有效的研究与检测GaN材料内部缺陷的方法.
关键词:GaN; 缺陷结构; 表面形貌; 生长机理;
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