含有易挥发元素的Eu₂PdSi₃光辐射悬浮区熔法晶体生长

徐义库¹，王丹丹¹，宋绪丁²，于金丽¹，肖君霞¹，郝建民¹，刘林³，张军³

1. 长安大学材料科学与工程学院2. 长安大学工程机械学院3. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室

摘 要：新型磁盘存储材料Eu₂PdSi₃单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点。本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu₂PdSi₃单晶。采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu₂PdSi₃晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu₂PdSi₃晶体。研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题。

关键词：悬浮区熔;单晶生长;稀土化合物;胞状组织;