低温多段烧结、真空压力浸渗制备SiCp/Al电子封装材料
来源期刊:功能材料与器件学报2011年第6期
论文作者:胡盛青 万绍平 刘韵妍 舒阳会 谭春林 张刚
文章页码:620 - 624
关键词:低温多段烧结;真空压力浸渗;SiCp/Al;
摘 要:选用W7与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,850℃空气气氛低温多段烧结,制备出体积分数为65.13%的SiC预制件,真空压力浸渗6063Al合金熔液,得到SiCp/Al复合材料。结果表明:复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相;致密度高;100℃时的热膨胀系数为7.592×10-6K-1;常温下热导率为172.68/W(m·K)-1;4mm×3mm×30mm规格样品的最大弯曲载荷为335.5N,弯曲位移为0.16mm左右;综合性能优良,是优异的电子封装材料。
胡盛青1,万绍平1,刘韵妍2,舒阳会1,谭春林1,张刚1
1. 湖南航天高新材料与装备技术研发中心2. 湖南航天诚远精密机械有限公司
摘 要:选用W7与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,850℃空气气氛低温多段烧结,制备出体积分数为65.13%的SiC预制件,真空压力浸渗6063Al合金熔液,得到SiCp/Al复合材料。结果表明:复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相;致密度高;100℃时的热膨胀系数为7.592×10-6K-1;常温下热导率为172.68/W(m·K)-1;4mm×3mm×30mm规格样品的最大弯曲载荷为335.5N,弯曲位移为0.16mm左右;综合性能优良,是优异的电子封装材料。
关键词:低温多段烧结;真空压力浸渗;SiCp/Al;