沉淀法制备Sm3+,Er3+与Nd3+一次共掺杂的BaTiO3基半导体陶瓷电容器
来源期刊：中国稀土学报2006年增刊第1期
论文作者：李春花 施哲 柴艮风 陈玉林
关键词：共沉淀法; 半导体陶瓷电容器; 施主掺杂; 稀土;
摘 要：在共沉淀法的基础上,通过双施主不同浓度的Nd3+和Sm3+,Er3+(4.0%～5.0%)掺杂,研究了BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能,结果表明,Sm3+和Er3+的掺杂可以提高居里温度,但使介电常数降低,其含量为25%时可获得绝缘电阻500 MΩ左右,C/S为0.5895μf·cm-2电性能参数.
李春花1，施哲1，柴艮风1，陈玉林1
(1.昆明理工大学材料与冶金学院,云南,昆明,650093)
摘要:在共沉淀法的基础上,通过双施主不同浓度的Nd3+和Sm3+,Er3+(4.0%～5.0%)掺杂,研究了BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能,结果表明,Sm3+和Er3+的掺杂可以提高居里温度,但使介电常数降低,其含量为25%时可获得绝缘电阻500 MΩ左右,C/S为0.5895μf·cm-2电性能参数.
关键词:共沉淀法; 半导体陶瓷电容器; 施主掺杂; 稀土;
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