氯化物前驱体提拉制备ITO薄膜

来源期刊：有色金属工程2009年第4期

论文作者：张鲁玉 刁训刚 郝雷 张金伟 马荣

文章页码：51 - 55

关键词：关键词:无机非金属材料;ITO膜;溶胶凝胶;提拉法;透明;导电;

摘    要：以InC l3.4H2O和SnC l4.5H2O为原料制备溶胶前驱体,采用浸渍提拉法在S iO2玻璃表面制备透明带电的ITO薄膜。采用方块电阻测量仪、紫外/可见光分光光度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪等分析薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及光谱特性。结果表明,薄膜的方块电阻与Sn掺杂量、提拉次数及热处理温度均有关。得到的最佳参数为Sn掺杂量10%(摩尔比)、5次提拉并干燥、500℃热处理1h(炉外空冷)。制得的最佳ITO薄膜方阻为240Ω/□,可见光平均透过率大于90%。