化学气相沉积SiC涂层生长过程分析
来源期刊：无机材料学报2005年第2期
论文作者：刘荣军 周新贵 曹英斌 张长瑞
关键词：化学气相沉积; SiC; 晶体生长; 涂层; HRTEM;
摘 要：以高纯石墨为沉积基体,MTS为先驱体原料,在负压条件下沉积了CVD SiC涂层.利用SEM和XRD分别对涂层的形貌及晶体结构进行了表征,SiC涂层表面呈菱柱状,(111)面为择优取向面.利用高分辨透射电镜对涂层与基体的界面结构、涂层的显微结构进行了研究,得出CVD SiC涂层生长过程如下:SiC最初是沿着石墨基体的晶面取向开始生长的;随后经历一段取向淘汰及调整的过程后,开始(111)晶面的生长.
刘荣军1，周新贵1，曹英斌1，张长瑞1
(1.国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073)
摘要:以高纯石墨为沉积基体,MTS为先驱体原料,在负压条件下沉积了CVD SiC涂层.利用SEM和XRD分别对涂层的形貌及晶体结构进行了表征,SiC涂层表面呈菱柱状,(111)面为择优取向面.利用高分辨透射电镜对涂层与基体的界面结构、涂层的显微结构进行了研究,得出CVD SiC涂层生长过程如下:SiC最初是沿着石墨基体的晶面取向开始生长的;随后经历一段取向淘汰及调整的过程后,开始(111)晶面的生长.
关键词:化学气相沉积; SiC; 晶体生长; 涂层; HRTEM;
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