衬底温度对溅射法生长Cu-Al-O薄膜性能的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年增刊第1期
论文作者：兰伟 张铭 王印月 严辉 董国波 王波
关键词：Cu-Al-O薄膜; 衬底温度; 透过率; 电导率;
摘 要：使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜.傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键.在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃～500℃时薄膜透过率在60%～70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52 eV和1.83 eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致.在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3 S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善.
兰伟1，张铭2，王印月1，严辉2，董国波2，王波2
(1.兰州大学物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000;
2.北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022)
摘要:使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜.傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键.在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃～500℃时薄膜透过率在60%～70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52 eV和1.83 eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致.在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3 S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善.
关键词:Cu-Al-O薄膜; 衬底温度; 透过率; 电导率;
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