弱磁场对SnO2薄膜性能的影响
来源期刊：功能材料2001年第4期
论文作者：刘艳红 刘祖黎 魏合林 刘洪祥
关键词：PECVD; SnO2; 薄膜; 磁镜场;
摘 要：利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了SnO2薄膜.实验中通过改变磁镜场的磁镜比和磁场大小,研究了弱磁场对SnO2薄膜方块电阻及电阻分布的影响.实验结果表明,随着磁镜比和磁场强度的增加,SnO2薄膜的方块电阻在降低,且电阻分布变得比较均匀;但是,当磁镜比超过5.5时,SnO2薄膜的电阻分布却变得越来越不均匀.
刘艳红1，刘祖黎1，魏合林1，刘洪祥1
(1.华中理工大学物理系,)
摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了SnO2薄膜.实验中通过改变磁镜场的磁镜比和磁场大小,研究了弱磁场对SnO2薄膜方块电阻及电阻分布的影响.实验结果表明,随着磁镜比和磁场强度的增加,SnO2薄膜的方块电阻在降低,且电阻分布变得比较均匀;但是,当磁镜比超过5.5时,SnO2薄膜的电阻分布却变得越来越不均匀.
关键词:PECVD; SnO2; 薄膜; 磁镜场;
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