简介概要

InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展

来源期刊：材料导报2006年第12期

论文作者：林玲徐安怀孙晓玮齐鸣

关键词：异质结双极晶体管; InGaP/GaAs; 微波单片集成电路;

摘要：概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题.

详情信息展示

林玲¹，徐安怀¹，孙晓玮¹，齐鸣¹

(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;
2.中国科学院研究生院,北京,100039)

摘要:概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题.

关键词:异质结双极晶体管; InGaP/GaAs; 微波单片集成电路;

【全文内容正在添加中】