四元Heusler合金CoFeTiSb的空位和反位缺陷效应

周庭艳¹，黄海深¹，吴波^1,2，杨秀德¹，李平¹，冯雨³

1. 遵义师范学院物理与机电工程学院2. 西北工业大学航海学院3. 西南大学物理科学与技术学院

摘 要：采用密度泛函理论研究了空位和反位缺陷效应对四元Heusler合金CoFeTiSb电子结构的影响。结果表明,Vd_Co、Vd_Fe空位缺陷和Ti_Sb反位缺陷具有负的形成能,能保持85%以上的自旋极化率,在CoFeTiSb合金工业制备过程中自发形成几率较大;Vd_Ti、Vd_Sb空位缺陷和Fe_Co反位缺陷虽然费米面处自旋极化率为100%,仍保持半金属性,但正的形成能表明在制备过程中它们出现的几率较小。此外,Sb_Co、Sb_Fe、Sb_Ti、Co_Ti、Fe_Ti反位缺陷由于具有较大的形成能和半金属性破坏,自旋极化率不同程度降低。

关键词：Heusler合金;空位缺陷;反位缺陷;