Ag掺杂对SnSe材料热电性能的影响
来源期刊：功能材料2018年第5期
论文作者：初菲 陆晓芳 王连军 江莞
文章页码：5001 - 5005
关键词：SnSe;Ag掺杂;热电性能;放电等离子体烧结;ZT值;
摘 要：硒化锡热电材料作为一种极具研究前景的功能材料,其单晶ZT值可达2.6。但由于单晶制备工艺的复杂性及应用限制,现研究主要集中于多晶硒化锡的制备与研究。采用真空熔炼及淬火-退火等工艺并结合放电等离子体烧结技术制备了Ag掺杂的AgxSn1-xSe（0.005≤x≤0.02）多晶热电材料。结果表明,Ag的掺入明显改善多晶SnSe的载流子浓度,同时保留较高的塞贝克系数,使得材料的电学性能显著提高。当Ag的掺杂量x=0.01时,Ag0.01Sn0.99Se具有相对较高的热电优值,于773K时平行于压力及垂直压力方向分别可达0.66和0.69。
初菲1，陆晓芳1，王连军1,2，江莞1,2,3
1. 东华大学材料科学与工程学院2. 东华大学纤维材料改性国家重点实验室3. 东华大学功能材料研究所
摘 要：硒化锡热电材料作为一种极具研究前景的功能材料,其单晶ZT值可达2.6。但由于单晶制备工艺的复杂性及应用限制,现研究主要集中于多晶硒化锡的制备与研究。采用真空熔炼及淬火-退火等工艺并结合放电等离子体烧结技术制备了Ag掺杂的AgxSn1-xSe（0.005≤x≤0.02）多晶热电材料。结果表明,Ag的掺入明显改善多晶SnSe的载流子浓度,同时保留较高的塞贝克系数,使得材料的电学性能显著提高。当Ag的掺杂量x=0.01时,Ag0.01Sn0.99Se具有相对较高的热电优值,于773K时平行于压力及垂直压力方向分别可达0.66和0.69。
关键词：SnSe;Ag掺杂;热电性能;放电等离子体烧结;ZT值;
