铜在含碘酸钾的CeO2浆料中CMP的抛光速率及影响因素的研究
来源期刊：有色金属(冶炼部分)2007年第4期
论文作者：李永绣 胡建东 周雪珍
关键词：铜; CMP; CeO2; 抛光速率; 影响因素;
摘 要：研究了氧化剂碘酸钾及抛光粒子CeO2的浓度、抛光转速和抛光压力对铜的化学机械抛光速率的影响,并初步解释了影响因素的机理.实验表明在一定范围内材料的去除速率与抛光压力、抛光转速的关系可以用Preston方程的一般式R=KPαVβ来表示,并据此可得到α,β和K的值;而氧化剂和抛光粉浓度对抛光速率的影响无明确的规律.在0.2 mol/L KIO3+5%CeO2、压力11.703 kPa、转速25 r/min的条件下,铜去除速率为43.9 nm/min,抛光效果Ra=10.9 nm,Rmax=112 nm.
李永绣1，胡建东1，周雪珍1
(1.南昌大学材料科学与工程学院,南昌,330031;
2.南昌大学理学院,南昌,330047)
摘要:研究了氧化剂碘酸钾及抛光粒子CeO2的浓度、抛光转速和抛光压力对铜的化学机械抛光速率的影响,并初步解释了影响因素的机理.实验表明在一定范围内材料的去除速率与抛光压力、抛光转速的关系可以用Preston方程的一般式R=KPαVβ来表示,并据此可得到α,β和K的值;而氧化剂和抛光粉浓度对抛光速率的影响无明确的规律.在0.2 mol/L KIO3+5%CeO2、压力11.703 kPa、转速25 r/min的条件下,铜去除速率为43.9 nm/min,抛光效果Ra=10.9 nm,Rmax=112 nm.
关键词:铜; CMP; CeO2; 抛光速率; 影响因素;
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