改性800M合金在热浓碱溶液中生成的表面膜的AES研究
来源期刊：中国腐蚀与防护学报2003年第5期
论文作者：吕战鹏 杨武 黄春波
关键词：800M合金; 热浓碱溶液; AES; 富集因子; IGA; 拐点电位; IGSCC;
摘 要：对改性800合金(800M)在沸腾的50%NaOH+0.3%SiO2+0.3%Na2S2O3溶液中不同电位下恒电位极化2h后的表面膜进行了俄歇电子能谱(AES)分析,发现在所选择的电位条件下(-500 mV～80 mV),表面膜中Ni的富集因子比Fe、Cr的大一个数量级,表面膜富Ni而贫Fe、Cr.在-500mV,800M合金C形环试样发生晶间腐蚀(IGA)是由于表面膜中S富集、Cr的相对百分含量很低,S2-在晶界偏析及晶界形成严重贫铬区富集因子随电位的变化曲线有一拐点电位(Ecr=-40 mV).在-40 mV时,C形环试样发生IGA是由于生成不稳定的Ni的氧化产物xNi2+yNi3+Oy(OH)2x+y,表面膜保护性能下降,应力撕破表面膜,活性晶界优先发生溶解形成的.在-30 mV～40 mV时,C形环试样发生沿晶应力腐蚀破裂(IGSCC)则可能是由于xNi2+yNi3+Oy(OH)2x+y不稳定,活性晶界分数大于裂纹扩展所需临界分数的缘故.
吕战鹏1，杨武1，黄春波1
(1.上海材料研究所,上海,200437)
摘要:对改性800合金(800M)在沸腾的50%NaOH+0.3%SiO2+0.3%Na2S2O3溶液中不同电位下恒电位极化2h后的表面膜进行了俄歇电子能谱(AES)分析,发现在所选择的电位条件下(-500 mV～80 mV),表面膜中Ni的富集因子比Fe、Cr的大一个数量级,表面膜富Ni而贫Fe、Cr.在-500mV,800M合金C形环试样发生晶间腐蚀(IGA)是由于表面膜中S富集、Cr的相对百分含量很低,S2-在晶界偏析及晶界形成严重贫铬区富集因子随电位的变化曲线有一拐点电位(Ecr=-40 mV).在-40 mV时,C形环试样发生IGA是由于生成不稳定的Ni的氧化产物xNi2+yNi3+Oy(OH)2x+y,表面膜保护性能下降,应力撕破表面膜,活性晶界优先发生溶解形成的.在-30 mV～40 mV时,C形环试样发生沿晶应力腐蚀破裂(IGSCC)则可能是由于xNi2+yNi3+Oy(OH)2x+y不稳定,活性晶界分数大于裂纹扩展所需临界分数的缘故.
关键词:800M合金; 热浓碱溶液; AES; 富集因子; IGA; 拐点电位; IGSCC;
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