C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究
来源期刊:功能材料2005年增刊第1期
论文作者:柳襄怀 诸葛兰剑 吴雪梅
关键词:栅发射; C薄膜; Hf薄膜; BaO;
摘 要:利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜,并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构,随后在N2保护下,通过在900~1300K范围内退火,研究样品处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化,以此解释了C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的工作机理.
柳襄怀1,诸葛兰剑2,吴雪梅2
(1.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;
2.苏州大学,物理系,江苏省薄膜材料重点实验室,江苏,苏州,215006)
摘要:利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜,并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构,随后在N2保护下,通过在900~1300K范围内退火,研究样品处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化,以此解释了C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的工作机理.
关键词:栅发射; C薄膜; Hf薄膜; BaO;
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