Sol-Gel法制备 ZnO压敏陶瓷及其电性
来源期刊：无机材料学报2000年第2期
论文作者：彭斌 刘素琴 宋志方 黄可龙
关键词：ZnO陶瓷; Sol-Gel法; 压敏电阻; ZnO ceramic; sol-gel process; varistor;
摘 要：采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备ZnO电压敏陶瓷粉体. 探讨其制备的最佳工艺条件：以Zn(NO3)2与NaOH为反应前驱物制取胶体, Zn2+浓度控制在0.5mol*L-1以上，pH值7.5左右，预烧温度300°C，陶瓷烧结温度1200°C；制得的压敏电阻的非线性系数α=28；研究了稀土La2O3 掺杂对该陶瓷电性的影响：低浓度掺杂时，可提高压敏电压，高浓度掺杂时，不呈现压敏特性；对粉体进行了X射线衍射和透射电镜分析，预烧后得到五元掺杂的ZnO粉体粒形呈球状，属六方晶系，粒径分布窄，约为40～80nm.
彭斌1，刘素琴1，宋志方1，黄可龙1
(1.中南工业大学化学化工学院，长沙 410083)
摘要:采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备ZnO电压敏陶瓷粉体. 探讨其制备的最佳工艺条件：以Zn(NO3)2与NaOH为反应前驱物制取胶体, Zn2+浓度控制在0.5mol*L-1以上，pH值7.5左右，预烧温度300°C，陶瓷烧结温度1200°C；制得的压敏电阻的非线性系数α=28；研究了稀土La2O3 掺杂对该陶瓷电性的影响：低浓度掺杂时，可提高压敏电压，高浓度掺杂时，不呈现压敏特性；对粉体进行了X射线衍射和透射电镜分析，预烧后得到五元掺杂的ZnO粉体粒形呈球状，属六方晶系，粒径分布窄，约为40～80nm.
关键词:ZnO陶瓷; Sol-Gel法; 压敏电阻; ZnO ceramic; sol-gel process; varistor;
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