包埋法制备SiC涂层C/C复合材料及真空热处理对涂层的影响

来源期刊：粉末冶金材料科学与工程2011年第2期

论文作者：张武装 熊翔 曾毅

文章页码：231 - 236

关键词：真空热处理;C/C复合材料;包埋法;SiC涂层;

摘    要：采用Si、C及Al2O3粉末为原料,利用包埋法结合真空热处理在C/C复合材料表面制备SiC涂层。并利用XRD、SEM等测试手段分析真空热处理对涂层C/C复合材料的组织结构和力学性能的影响。研究结果表明:包埋粉料中Si含量为84.5%和87.0%（质量分数）时,所制备的SiC过渡层由β-SiC、α-SiC和Si三相组成。真空热处理可以降低SiC涂层中游离Si的含量,使SiC过渡层形成多孔结构,进而改善SiC涂层C/C复合材料的韧性,获得的涂层最大载荷处挠度可提高6.93%。真空热处理后,C/C复合材料SiC涂层的断裂形式为剪切断裂和纤维拔出断裂的混合形式。