简介概要

包埋法制备SiC涂层C/C复合材料及真空热处理对涂层的影响

来源期刊:粉末冶金材料科学与工程2011年第2期

论文作者:张武装 熊翔 曾毅

文章页码:231 - 236

关键词:真空热处理;C/C复合材料;包埋法;SiC涂层;

摘    要:采用Si、C及Al2O3粉末为原料,利用包埋法结合真空热处理在C/C复合材料表面制备SiC涂层。并利用XRD、SEM等测试手段分析真空热处理对涂层C/C复合材料的组织结构和力学性能的影响。研究结果表明:包埋粉料中Si含量为84.5%和87.0%(质量分数)时,所制备的SiC过渡层由β-SiC、α-SiC和Si三相组成。真空热处理可以降低SiC涂层中游离Si的含量,使SiC过渡层形成多孔结构,进而改善SiC涂层C/C复合材料的韧性,获得的涂层最大载荷处挠度可提高6.93%。真空热处理后,C/C复合材料SiC涂层的断裂形式为剪切断裂和纤维拔出断裂的混合形式。

详情信息展示

包埋法制备SiC涂层C/C复合材料及真空热处理对涂层的影响

张武装,熊翔,曾毅

中南大学粉末冶金国家重点实验室

摘 要:采用Si、C及Al2O3粉末为原料,利用包埋法结合真空热处理在C/C复合材料表面制备SiC涂层。并利用XRD、SEM等测试手段分析真空热处理对涂层C/C复合材料的组织结构和力学性能的影响。研究结果表明:包埋粉料中Si含量为84.5%和87.0%(质量分数)时,所制备的SiC过渡层由β-SiC、α-SiC和Si三相组成。真空热处理可以降低SiC涂层中游离Si的含量,使SiC过渡层形成多孔结构,进而改善SiC涂层C/C复合材料的韧性,获得的涂层最大载荷处挠度可提高6.93%。真空热处理后,C/C复合材料SiC涂层的断裂形式为剪切断裂和纤维拔出断裂的混合形式。

关键词:真空热处理;C/C复合材料;包埋法;SiC涂层;

<上一页 1 下一页 >

相关论文

  • 暂无!

相关知识点

  • 暂无!

有色金属在线官网  |   会议  |   在线投稿  |   购买纸书  |   科技图书馆

中南大学出版社 技术支持 版权声明   电话:0731-88830515 88830516   传真:0731-88710482   Email:administrator@cnnmol.com

互联网出版许可证:(署)网出证(京)字第342号   京ICP备17050991号-6      京公网安备11010802042557号