微量磷硅对压延铜箔再结晶行为的影响

张县委^1,2，彭勇宜¹，李周³，田原晨²，孙克斌²

1. 中南大学物理与电子学院2. 中色奥博特铜铝业有限公司3. 中南大学材料科学与工程学院

摘 要：利用力学和电学性能测试、金相观察、电子背散射衍射(EBSD)分析等手段研究不同磷(P)、硅(Si)杂质含量对纯铜箔材再结晶行为的影响.轧态铜箔的晶粒沿轧制方向被拉长,呈现明显的加工纤维组织,以小角度晶界、亚晶界为主.P和Si元素含量对压延纯铜箔的再结晶行为影响显著,160℃/h退火后,P和Si杂质元素含量较高的压延铜箔呈现部分再结晶组织,而P和Si杂质元素含量较低的压延铜箔为完全再结晶组织,取向差大于60°的大角度晶界占比明显增加,以完整晶粒、大角度晶界为主要特征.

关键词：压延铜箔;再结晶;磷;硅;