热蒸发铜粉法制备硅纳米线的研究
来源期刊:材料科学与工程学报2005年第4期
论文作者:范新会 严文 陈建 刘建刚 于灵敏
关键词:热蒸发; 硅纳米线; 气-液-固机制; 氧化辅助生长机制;
摘 要:研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线.场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化.在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机制.
范新会1,严文1,陈建1,刘建刚1,于灵敏1
(1.西安工业学院,材料与化工学院,陕西,西安,710032)
摘要:研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线.场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化.在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机制.
关键词:热蒸发; 硅纳米线; 气-液-固机制; 氧化辅助生长机制;
【全文内容正在添加中】