TQFP器件的分层开裂和PECVDSiNx薄膜对TQFP器件防水性能的影响
来源期刊:功能材料与器件学报2001年第1期
论文作者:徐立强 赵润涛 王旭洪 陈翔
关键词:分层; 氮化硅薄膜; TQFP器件; 防水性能; PECVD;
摘 要:研究了薄型扁平四面封装(TQFP)器件在再流焊工艺中的分层开裂过程和PECVDSiNx薄膜对器件防水性能的影响。实验发现,水汽含量是引起器件分层开裂的主要原因;银浆与塑封料,芯片衬垫与塑封料之间的结合面是TQFP器件的薄弱环节,分层现象是由这些部位产生和扩展的。PECVDSiNx薄膜能有效降低进入TQFP器件中的水汽含量,在一定程度上消除开裂和分层现象,并且薄膜越厚,防水效果越好,消除开裂和分层现象的作用也越明显。
徐立强1,赵润涛1,王旭洪1,陈翔1
(1.中国科学院上海冶金研究所)
摘要:研究了薄型扁平四面封装(TQFP)器件在再流焊工艺中的分层开裂过程和PECVDSiNx薄膜对器件防水性能的影响。实验发现,水汽含量是引起器件分层开裂的主要原因;银浆与塑封料,芯片衬垫与塑封料之间的结合面是TQFP器件的薄弱环节,分层现象是由这些部位产生和扩展的。PECVDSiNx薄膜能有效降低进入TQFP器件中的水汽含量,在一定程度上消除开裂和分层现象,并且薄膜越厚,防水效果越好,消除开裂和分层现象的作用也越明显。
关键词:分层; 氮化硅薄膜; TQFP器件; 防水性能; PECVD;
【全文内容正在添加中】