IC铜合金引线框架材料的氧化失效及其机理
来源期刊：稀有金属材料与工程2006年增刊第1期
论文作者：李明 毛大立 沈宏
关键词：引线框架材料; 铜合金; 氧化失效; 结合强度; 电子封装;
摘 要：通过氧化膜剥落实验发现,在相同条件下,EFTEC64T和C194两种材料的氧化膜与基底结合强度较高,不易剥离,而C5191和C7025两种材料则较差.通过AES对各铜合金材料氧化膜进一步的分析表明:铜合金材料氧化膜基本结构为CuO/Cu2O/Cu,且氧化膜的结合强度与CuO成分在氧化膜中所占比例有关,比例愈高则越易剥落.研究还发现:在氧化过程中,铜合金的某些微量元素会在氧化膜与基底的界面上发生富集偏析,这是导致氧化膜结合强度减弱的主要原因.
李明1，毛大立1，沈宏1
(1.上海交通大学材料学院,金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030)
摘要:通过氧化膜剥落实验发现,在相同条件下,EFTEC64T和C194两种材料的氧化膜与基底结合强度较高,不易剥离,而C5191和C7025两种材料则较差.通过AES对各铜合金材料氧化膜进一步的分析表明:铜合金材料氧化膜基本结构为CuO/Cu2O/Cu,且氧化膜的结合强度与CuO成分在氧化膜中所占比例有关,比例愈高则越易剥落.研究还发现:在氧化过程中,铜合金的某些微量元素会在氧化膜与基底的界面上发生富集偏析,这是导致氧化膜结合强度减弱的主要原因.
关键词:引线框架材料; 铜合金; 氧化失效; 结合强度; 电子封装;
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