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BaHfO3:Ce纳米材料的制备及光谱特性

来源期刊:金属学报2008年第3期

论文作者:沈世妃 李喜坤 马伟民 闻雷 刘晶 郭易芬

关键词:闪烁体; BaHfO3:Ce; 纳米粉体; 共沉淀法; 光谱特性;

摘    要:用湿化学共沉淀法制备了掺杂Ce的BaHfO3纳米粉体,采用XRD,TEM及TG-DTA等手段分析了粉体合成过程的物相变化及特性;用荧光光度计分析了样品的激发光谱和发射光谱.结果表明:先驱沉淀物经1000℃煅烧2 h,合成出多边形貌、分散性良好、粒径尺寸为30-50 nm的BaHfO3:Ce纳米粉体.掺杂Ce浓度(摩尔分数)为0.3%的BaHfO3的谱峰相对强度最高,其激发光谱在393和445 nm处出现2个激发峰. 393 nm波长激发的发射光谱主要由两个光谱带组成,其峰值分别位于485和530 nm波长处;用445 nm波长激发时,483 nm附近的峰已不明显,只在529 nm有一个较宽的发射峰. BaHfO3:Ce的发光特性由激活Ce3+的5d-2F5/2和5d-2F7/2宽带跃迁产生,其激发光谱和发射光谱均为宽带谱.

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BaHfO3:Ce纳米材料的制备及光谱特性

沈世妃1,李喜坤2,马伟民3,闻雷4,刘晶3,郭易芬1

(1.沈阳大学材料科学与工程系,沈阳,110044;
2.沈阳理工大学材料工程学院,沈阳,110168;
3.沈阳化工学院材料科学与工程学院,沈阳,110142;
4.中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家,联合,实验室,沈阳,110016)

摘要:用湿化学共沉淀法制备了掺杂Ce的BaHfO3纳米粉体,采用XRD,TEM及TG-DTA等手段分析了粉体合成过程的物相变化及特性;用荧光光度计分析了样品的激发光谱和发射光谱.结果表明:先驱沉淀物经1000℃煅烧2 h,合成出多边形貌、分散性良好、粒径尺寸为30-50 nm的BaHfO3:Ce纳米粉体.掺杂Ce浓度(摩尔分数)为0.3%的BaHfO3的谱峰相对强度最高,其激发光谱在393和445 nm处出现2个激发峰. 393 nm波长激发的发射光谱主要由两个光谱带组成,其峰值分别位于485和530 nm波长处;用445 nm波长激发时,483 nm附近的峰已不明显,只在529 nm有一个较宽的发射峰. BaHfO3:Ce的发光特性由激活Ce3+的5d-2F5/2和5d-2F7/2宽带跃迁产生,其激发光谱和发射光谱均为宽带谱.

关键词:闪烁体; BaHfO3:Ce; 纳米粉体; 共沉淀法; 光谱特性;

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