CaCl₂-NaCl熔盐中槽电压对SiO₂电还原影响机制研究

张英杰^1,2，周忠仁^1,2，华一新¹，董鹏^1,2

1. 昆明理工大学冶金与能源工程学院2. 锂离子电池及材料国家地方联合工程实验室

摘 要：以SiO₂为原料,采用熔盐电解法制备得到了纳米尺度的单质Si。研究了槽电压对SiO₂电还原过程和单质Si微观结构的影响。在槽电压1.7～2.0V范围内,较高的槽电压有利于SiO₂的电解还原,在1.8～2.0V槽电压下,SiO₂能够被电解完全生成单质Si。当槽电压为1.8V时,电解产物Si的微观结构为40nm左右宽的纳米线;当槽电压为1.9V时,微观结构包括50nm左右宽纳米线和粒径100nm左右的纳米颗粒;当槽电压为2.0V时,微观结构为100～300nm的纳米颗粒堆积。

关键词：硅;槽电压;微观结构;熔盐电解;