GaP薄膜的制备与性能研究
来源期刊：材料工程2001年第10期
论文作者：耿东生 宋建全 郭大刚 郑修麟 刘正堂
关键词：GaP薄膜; 射频磁控溅射; 增透保护膜系;
摘 要：利用磁控溅射法成功地制备出GaP薄膜,并对GaP薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究.结果表明,沉积薄膜中Ga与P的原子比接近1:1,形成了GaP化合物,呈非晶态结构.设计并制备出GaP/DLC复合膜系,结果表明该膜系在8～11.5μm波段对ZnS衬底具有明显的增透效果.制备的GaP薄膜的硬度明显高于ZnS衬底的硬度,且与ZnS衬底结合牢固,可提供良好的保护性能.
耿东生1，宋建全1，郭大刚1，郑修麟1，刘正堂1
(1.西北工业大学,)
摘要:利用磁控溅射法成功地制备出GaP薄膜,并对GaP薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究.结果表明,沉积薄膜中Ga与P的原子比接近1:1,形成了GaP化合物,呈非晶态结构.设计并制备出GaP/DLC复合膜系,结果表明该膜系在8～11.5μm波段对ZnS衬底具有明显的增透效果.制备的GaP薄膜的硬度明显高于ZnS衬底的硬度,且与ZnS衬底结合牢固,可提供良好的保护性能.
关键词:GaP薄膜; 射频磁控溅射; 增透保护膜系;
【全文内容正在添加中】
