制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应
来源期刊：金属学报2006年第9期
论文作者：姜山 王文静 颜世申 袁慧敏 萧淑琴
关键词：巨磁阻抗效应; FeZrBNi三层膜; 掺杂;
摘 要：用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量.结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz;在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%.这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能.同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系.
姜山1，王文静1，颜世申1，袁慧敏1，萧淑琴1
(1.山东大学物理与微电子学院,济南,250100;
2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100)
摘要:用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量.结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz;在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%.这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能.同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系.
关键词:巨磁阻抗效应; FeZrBNi三层膜; 掺杂;
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