SiO2/CdS光子晶体的制备及其光学性能
来源期刊：功能材料2006年第8期
论文作者：介万奇 陈福义 蔡小梅
关键词：光子晶体; 化学浴沉淀; 光子带隙; 光致发光;
摘 要：用化学浴沉淀法(CBD)在SiO2胶体晶体中生长了CdS半导体材料, 并用UV-VIS-NIR光谱仪和荧光光分度计测试了其光学性能.测试结果表明,在SiO2胶体晶体中随着CdS填充量的增加,光子带隙向长波段方向移动且变宽;当发射出的光与基体材料的光子带隙相匹配时,可控制半导体材料的光致发光,同时,可通过控制SiO2胶体颗粒粒经的大小来调节CdS的光致发光性能.
介万奇1，陈福义1，蔡小梅1
(1.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072)
摘要:用化学浴沉淀法(CBD)在SiO2胶体晶体中生长了CdS半导体材料, 并用UV-VIS-NIR光谱仪和荧光光分度计测试了其光学性能.测试结果表明,在SiO2胶体晶体中随着CdS填充量的增加,光子带隙向长波段方向移动且变宽;当发射出的光与基体材料的光子带隙相匹配时,可控制半导体材料的光致发光,同时,可通过控制SiO2胶体颗粒粒经的大小来调节CdS的光致发光性能.
关键词:光子晶体; 化学浴沉淀; 光子带隙; 光致发光;
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