CdS量子点/CdTe纳米棒光电极制备及其光电性能

来源期刊：稀有金属材料与工程2018年第10期

论文作者：罗炳威 刘大博 邓元 罗飞 田野 周海涛 陈冬生

文章页码：3173 - 3178

关键词：CdS;CdTe;量子点;纳米棒;光电性能;

摘    要：利用化学沉积法和射频溅射法实现了CdS量子点/CdTe纳米棒复合光电极的制备。通过X射线粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、紫外-可见吸收光谱（UV-vis）和电化学工作站分别对获得的光电极进行了结构、形貌和光电性能的表征。结果表明,所获得的光电极由CdS量子点和CdTe一维纳米棒组成,其中CdTe纳米棒沿着（111）择优方向定向生长。在不同CdS量子点厚度的光电极的电化学表征中,发现了由CdS的压电效应引起的新颖的热释电现象,并在25次循环CdS量子点的光电极测试中获得了最好的结果,开路电压为0.49 V,短路电流为71.09μA,其I-t曲线的开关比为6。另外,还发现了热释电引起的电流反向现象,这一特性对于未来提高光电器件的性能具有重要的意义。