用于LED驱动芯片的500V级SOI高压器件的研究

张斌¹，朱文清^1,2，王中健³

1. 上海大学材料科学与工程学院2. 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所汽车电子工程中心

摘 要：本文针对现代LED驱动芯片对高压元器件的需要,结合SOI衬底技术在功率集成电路上的优势,分析了SOI高压器件的耐压原理,提出500V级SOI高压器件设计方案。在SOI衬底上设计了具有40μm线性渐变掺杂漂移区的LDMOS结构,对器件性能进行了仿真,并开发了与CMOS工艺兼容的制备流程。成功进行实验,测试结果显示,器件击穿电压可达550V,比导通电阻为5.8Ω·mm2。

关键词：SOI;LED;LDMOS;高压器件;