器件级同质外延CVD金刚石膜上的具有高击穿电压的铝肖特基二极管
来源期刊：功能材料与器件学报2001年第3期
论文作者：入江正丈 王春蕾 远藤城一 伊藤利道 木村谦一 寺地德之
关键词：击穿电压; 铝肖特基二极管; CVD金刚石膜;
摘 要：用微波等离子体化学气相沉积方法合成高品质同质外延金刚石膜，并且用扫描电镜和阴极荧光分析法评价。为了得到高薄膜生长速率，把甲烷浓度设定在4％。薄膜上的生长丘的数量和大小依赖于生长条件。在本工作的样品中,未发现任何非外延晶粒。室温下的阴极荧光分光结果表明这些金刚石薄膜具有与自由励起子相关的谱峰。氢终端的膜表面制作的铝电极显示了P型整流特性,击穿电压高于380V。实验结果表明，阴极荧光分析法观测到的缺陷和电性能密切相关，并且可以在有室温边发射的金刚石表面上制作具有高击穿电压的整流电极。
入江正丈1，王春蕾1，远藤城一1，伊藤利道1，木村谦一1，寺地德之1
(1.大阪大学工学部电气工学科,吹田市山田丘 2- 1,)
摘要:用微波等离子体化学气相沉积方法合成高品质同质外延金刚石膜，并且用扫描电镜和阴极荧光分析法评价。为了得到高薄膜生长速率，把甲烷浓度设定在4％。薄膜上的生长丘的数量和大小依赖于生长条件。在本工作的样品中,未发现任何非外延晶粒。室温下的阴极荧光分光结果表明这些金刚石薄膜具有与自由励起子相关的谱峰。氢终端的膜表面制作的铝电极显示了P型整流特性,击穿电压高于380V。实验结果表明，阴极荧光分析法观测到的缺陷和电性能密切相关，并且可以在有室温边发射的金刚石表面上制作具有高击穿电压的整流电极。
关键词:击穿电压; 铝肖特基二极管; CVD金刚石膜;
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