一种新结构ZnS∶Tm3+薄膜电致发光器件的研究
来源期刊：中国稀土学报2001年第6期
论文作者：成正维 何大伟 杨胜 邓朝勇 关亚菲
关键词：稀土; 薄膜电致发光; 热电子; 加速作用;
摘 要：采用电子束蒸发法制备了一种新结构(ITO/SiO2/ZnS∶TmF3/SiO2/Z nS∶TmF3/SiO2/Al)的薄膜电致发光器件, 并与传统双绝缘层结构的器件相比较. 结果表明, 新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件. 分析认为这是由于SiO2 夹层起到了加速电子和提供界面的作用.
成正维1，何大伟1，杨胜1，邓朝勇1，关亚菲1
(1.北方交通大学光电子技术研究所,)
摘要:采用电子束蒸发法制备了一种新结构(ITO/SiO2/ZnS∶TmF3/SiO2/Z nS∶TmF3/SiO2/Al)的薄膜电致发光器件, 并与传统双绝缘层结构的器件相比较. 结果表明, 新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件. 分析认为这是由于SiO2 夹层起到了加速电子和提供界面的作用.
关键词:稀土; 薄膜电致发光; 热电子; 加速作用;
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