第一性原理研究不同压力下正交相SrHfO₃的电子结构（英文）

来源期刊：稀有金属材料与工程2014年第11期

论文作者：冯丽萍 贾瑞涛 刘正堂

文章页码：2619 - 2622

关键词：第一性原理;电子结构;SrHfO3;压力;

摘    要：采用第一性原理研究了压力对正交相Sr Hf O3电子结构的影响。正交相Sr Hf O3在零压力时的结构参数与已有的实验值和理论计算值一致。当施加的压力小于20 GPa时,正交相Sr Hf O3的最小间接带隙在Z-Γ之间。当施加的压力大于20 GPa时,正交相Sr Hf O3的最小间接带隙在S-Γ之间。随着压力的增加,正交相Sr Hf O3的态密度向低能量方向移动。电荷密度分析表明,Hf-O之间主要以共价键结合,Sr-O之间主要以离子键结合。随着压力的增加,Hf-O共价键和Sr-O离子键增强,而Sr-Hf O3之间的离子交互作用减弱。