简介概要

一维声子晶体的缺陷模特征

来源期刊:材料导报2008年增刊第2期

论文作者:刘启能

关键词:声子晶体; 转移矩阵; 缺陷模;

摘    要:推导出一维掺杂声子晶体的转移矩阵,研究了一维掺杂声子晶体的缺陷模特性.结果表明一维声子晶体掺杂后会在禁带中心处出现缺陷模.缺陷模随杂质厚度的变化呈周期性地出现,在同一周期内,缺陷模的频率随杂质厚度增加近似呈线性减小,但缺陷模的半高宽近似不变.缺陷模的半高宽随两介质声阻抗的差值的减少而增大.

详情信息展示

一维声子晶体的缺陷模特征

刘启能1

(1.重庆工商大学计算机科学与信息工程学院,重庆,400067)

摘要:推导出一维掺杂声子晶体的转移矩阵,研究了一维掺杂声子晶体的缺陷模特性.结果表明一维声子晶体掺杂后会在禁带中心处出现缺陷模.缺陷模随杂质厚度的变化呈周期性地出现,在同一周期内,缺陷模的频率随杂质厚度增加近似呈线性减小,但缺陷模的半高宽近似不变.缺陷模的半高宽随两介质声阻抗的差值的减少而增大.

关键词:声子晶体; 转移矩阵; 缺陷模;

【全文内容正在添加中】

<上一页 1 下一页 >

相关论文

  • 暂无!

相关知识点

  • 暂无!

有色金属在线官网  |   会议  |   在线投稿  |   购买纸书  |   科技图书馆

中南大学出版社 技术支持 版权声明   电话:0731-88830515 88830516   传真:0731-88710482   Email:administrator@cnnmol.com

互联网出版许可证:(署)网出证(京)字第342号   京ICP备17050991号-6      京公网安备11010802042557号