硼掺杂对PECVD制备的纳米非晶硅薄膜电学行为的影响
来源期刊：材料科学与工程学报2008年第2期
论文作者：韩高荣 张溪文 冯仁华
关键词：PECVD; na-Si:H; 掺杂比; 激活能;
摘 要：本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜(na-Si:H),系统研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响.研究表明,与传统掺硼非品硅不同,随硼掺杂浓度的增加,掺硼na-Si:H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和,其电导激活能E≈0.50eV、σph/σd＞102,具有应用于太阳能电池p型层的潜力.
韩高荣1，张溪文1，冯仁华1
(1.浙江大学无机非金属材料研究所,浙江杭州,310027)
摘要:本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜(na-Si:H),系统研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响.研究表明,与传统掺硼非品硅不同,随硼掺杂浓度的增加,掺硼na-Si:H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和,其电导激活能E≈0.50eV、σph/σd＞102,具有应用于太阳能电池p型层的潜力.
关键词:PECVD; na-Si:H; 掺杂比; 激活能;
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