测定含硼金刚石单晶颗粒电阻的方法
来源期刊:理化检验物理分册2004年第12期
论文作者:宫建红 李木森 李洪岩 郑克芳
关键词:含硼金刚石单晶; 电阻温度系数; 半导体特性;
摘 要:以铁基合金掺杂FeB或B4C为触媒、石墨为碳源,在高温高压条件下合成了含硼金刚石单晶.测定了金刚石单晶颗粒在不同温度下的电阻并绘制出两参数之间的变化曲线.结果表明,当金刚石单晶中掺入硼时,其电阻大幅度降低,且电阻随温度的升高而下降,即存在负的电阻温度系数,表现出半导体材料的特性.
宫建红1,李木森1,李洪岩1,郑克芳1
(1.山东大学材料科学与工程学院,济南,250061)
摘要:以铁基合金掺杂FeB或B4C为触媒、石墨为碳源,在高温高压条件下合成了含硼金刚石单晶.测定了金刚石单晶颗粒在不同温度下的电阻并绘制出两参数之间的变化曲线.结果表明,当金刚石单晶中掺入硼时,其电阻大幅度降低,且电阻随温度的升高而下降,即存在负的电阻温度系数,表现出半导体材料的特性.
关键词:含硼金刚石单晶; 电阻温度系数; 半导体特性;
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