利用可控In气氛下热处理工艺制备Cd0.9Zn0.1Te:In
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年第8期
论文作者：刘洪涛 闵嘉华 李万万 桑文斌 李刚
关键词：CdZnTe; 热处理; 电阻率; 扩散系数; CdZnTe; thermal annealing; resistivity; diffusion coefficient;
摘 要：利用控制In气氛下的热处理工艺成功地制备了CdZnTe:In.不同In压下(Cd,Zn分压保持在平衡分压)的热处理实验结果表明:热处理后样品的电阻率可从6.75×105 Ω·cm提高到108～1010Ω·cm;并且随着In压的增加,导电类型逐渐由p型转变为n型.热处理后样品的电阻率变化特征可以由In的扩散和施主缺陷InCd、受主缺陷VCd之间的补偿作用来很好地解释.利用扩散理论建立了CdZnTe:In的电阻率物理模型.利用热处理后样品的电阻率数据,计算了在873,973和1073 K时In原子在CZT晶体中的有效扩散系数DIn,分别为3.455×10-11,2.625×10-10和5.17×10-9cm2/s.将扩散数据经过拟合后得到了DIn的表达式:1.35exp(-1.85 eV/kT)cm2/s(873～1073 K).
刘洪涛1，闵嘉华1，李万万1，桑文斌1，李刚1
(1.上海大学,上海,200072)
摘要:利用控制In气氛下的热处理工艺成功地制备了CdZnTe:In.不同In压下(Cd,Zn分压保持在平衡分压)的热处理实验结果表明:热处理后样品的电阻率可从6.75×105 Ω·cm提高到108～1010Ω·cm;并且随着In压的增加,导电类型逐渐由p型转变为n型.热处理后样品的电阻率变化特征可以由In的扩散和施主缺陷InCd、受主缺陷VCd之间的补偿作用来很好地解释.利用扩散理论建立了CdZnTe:In的电阻率物理模型.利用热处理后样品的电阻率数据,计算了在873,973和1073 K时In原子在CZT晶体中的有效扩散系数DIn,分别为3.455×10-11,2.625×10-10和5.17×10-9cm2/s.将扩散数据经过拟合后得到了DIn的表达式:1.35exp(-1.85 eV/kT)cm2/s(873～1073 K).
关键词:CdZnTe; 热处理; 电阻率; 扩散系数; CdZnTe; thermal annealing; resistivity; diffusion coefficient;
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