纳米硅薄膜的低压化学气相沉积和电学性能研究
来源期刊：材料科学与工程学报2001年第3期
论文作者：瞿浩明 张溪文 沈鸽
关键词：纳米硅薄膜; 暗电导率; 化学气相沉积;
摘 要：利用普通低压化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备了大面积的纳米硅薄膜.不同温度下薄膜暗电导率的测试研究表明,薄膜的室温暗电导率随成膜温度的升高而增加,相应的电导激活能降低.热激活隧道击空机制可以较好地解释纳米硅薄膜特殊的电学性能.原位后续热处理研究表明,延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法均能有效提高其室温暗电导率.
瞿浩明1，张溪文1，沈鸽1
(1.浙江大学材料与化工学院)
摘要:利用普通低压化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备了大面积的纳米硅薄膜.不同温度下薄膜暗电导率的测试研究表明,薄膜的室温暗电导率随成膜温度的升高而增加,相应的电导激活能降低.热激活隧道击空机制可以较好地解释纳米硅薄膜特殊的电学性能.原位后续热处理研究表明,延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法均能有效提高其室温暗电导率.
关键词:纳米硅薄膜; 暗电导率; 化学气相沉积;
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