悬浮区域熔炼法制备REB6（LaB6、CeB6）单晶体及其表征
来源期刊：功能材料2012年第2期
论文作者：张宁 张久兴 包黎红 李晓娜
文章页码：178 - 364
关键词：悬浮区域熔炼;单晶LaB6;单晶CeB6;表征;
摘 要：采用区域熔炼法成功制备出了高质量、高纯度、大尺寸的LaB6、CeB6单晶体。系统分析了制备过程中每个参数对晶体生长的影响,确定了晶体成长最佳工艺:(1)LaB6:转速为30r/min,生长速度为8～10mm/h,两次区熔;(2)CeB6:转速为30r/min,生长速度15～20mm/h,一次区熔。然后对晶体进行表征,主要方法有单晶衍射、断面扫描、拉曼衍射、摇摆曲线。由此可知悬浮区域熔炼法是制备高质量、高纯度、大尺寸REB6的最佳方法。
张宁，张久兴，包黎红，李晓娜
北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室
摘 要：采用区域熔炼法成功制备出了高质量、高纯度、大尺寸的LaB6、CeB6单晶体。系统分析了制备过程中每个参数对晶体生长的影响,确定了晶体成长最佳工艺:(1)LaB6:转速为30r/min,生长速度为8～10mm/h,两次区熔;(2)CeB6:转速为30r/min,生长速度15～20mm/h,一次区熔。然后对晶体进行表征,主要方法有单晶衍射、断面扫描、拉曼衍射、摇摆曲线。由此可知悬浮区域熔炼法是制备高质量、高纯度、大尺寸REB6的最佳方法。
关键词：悬浮区域熔炼;单晶LaB6;单晶CeB6;表征;
