电化学沉积DLC膜及其表征
来源期刊：材料科学与工程学报2003年第5期
论文作者：徐洮 王博 阎兴斌 杨生荣
关键词：类金刚石碳膜; 电化学沉积; Raman; XAES;
摘 要：采用电化学沉积方法,甲醇有机溶剂作碳源,在直流电源作用下在单晶硅表面沉积得到碳薄膜.薄膜不溶于苯、丙酮等有机溶剂,具有较高的硬度(16GPa左右),用AFM、Raman和FTIR分析手段对该薄膜表面形貌和结构进行表征,Raman和FTIR结果表明电化学沉积得到的是含氢的类金刚石碳薄膜.通过研究样品薄膜的XPS和XAES谱图特征,进一步证实薄膜是DLC薄膜,并用线性插入法估算出样品薄膜中SP3的相对含量为60%,同时推测了电化学沉积DLC薄膜的生长机理.
徐洮1，王博1，阎兴斌1，杨生荣1
(1.中科院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室,甘肃兰州,730000)
摘要:采用电化学沉积方法,甲醇有机溶剂作碳源,在直流电源作用下在单晶硅表面沉积得到碳薄膜.薄膜不溶于苯、丙酮等有机溶剂,具有较高的硬度(16GPa左右),用AFM、Raman和FTIR分析手段对该薄膜表面形貌和结构进行表征,Raman和FTIR结果表明电化学沉积得到的是含氢的类金刚石碳薄膜.通过研究样品薄膜的XPS和XAES谱图特征,进一步证实薄膜是DLC薄膜,并用线性插入法估算出样品薄膜中SP3的相对含量为60%,同时推测了电化学沉积DLC薄膜的生长机理.
关键词:类金刚石碳膜; 电化学沉积; Raman; XAES;
【全文内容正在添加中】
