利用高沸物二硅烷中的甲基氯二硅烷制备无氯Si-C-N陶瓷
来源期刊：高分子材料科学与工程2004年第1期
论文作者：刘宗林 茹淼焱 刘爱祥 谭业邦 孟凡君 孟霞
关键词：高沸物二硅烷; 甲基氯二硅烷; 环硅氮烷; 氨解; 聚硅氮烷前驱体; 粘流活化能; 裂解; Si-C-N陶瓷;
摘 要：直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS) 与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷 (PSZ) 前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3 kJ/mol.PSZ在1100 ℃高温裂解后,可得到无氯Si-C-N无定型陶瓷,认为该路线是制备高性能Si-C-N陶瓷的最经济的方法之一.
刘宗林1，茹淼焱1，刘爱祥1，谭业邦1，孟凡君1，孟霞1
(1.山东大学化学与化工学院,山东,济南,250100)
摘要:直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS) 与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷 (PSZ) 前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3 kJ/mol.PSZ在1100 ℃高温裂解后,可得到无氯Si-C-N无定型陶瓷,认为该路线是制备高性能Si-C-N陶瓷的最经济的方法之一.
关键词:高沸物二硅烷; 甲基氯二硅烷; 环硅氮烷; 氨解; 聚硅氮烷前驱体; 粘流活化能; 裂解; Si-C-N陶瓷;
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