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LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺

来源期刊:功能材料与器件学报2008年第2期

论文作者:姜理利 贾世星 王立峰 陆乐

关键词:LPCVD; 多晶硅; 掺P多晶硅;

摘    要:对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系.实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率.生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1OOOhA.



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LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺

姜理利1,贾世星1,王立峰1,陆乐1

(1.南京电子器件研究所,南京,210016)

摘要:对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系.实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率.生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1OOOhA.

关键词:LPCVD; 多晶硅; 掺P多晶硅;

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